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NDS8410A Datasheet技术文件下载

NDS8410A产品参数和技术文档

NDS8410A产品图

NDS8410A产品参考价格

NDS8410A产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 10.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
制造商
ON Semiconductor
系列
PowerTrench?
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 10.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
22nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1620pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装
2,500
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
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  • 厂家
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  • 数量
  • 封装
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  • NDS8410A
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