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IRFZ48ZL产品参数和技术文档

IRFZ48ZL产品图

IRFZ48ZL产品参考价格

IRFZ48ZL产品参数

品牌:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 55V 61A TO-262
详细描述:
通孔 N 沟道 55V 61A(Tc) 91W(Tc) TO-262
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
61A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
11 毫欧 @ 37A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
64nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1720pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
91W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
标准包装
50
其它名称
*IRFZ48ZL
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
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  • 数量
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  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • IRFZ48ZL
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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