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IRFR9N20DPBF Datasheet技术文件下载

IRFR9N20DPBF产品参数和技术文档

IRFR9N20DPBF产品图

IRFR9N20DPBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.52824
$1,584.72

IRFR9N20DPBF产品参数

品牌:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:
表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
380 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
27nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
560pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
86W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
3,000
其它名称
*IRFR9N20DPBF SP001565076
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
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  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
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  • 封装
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产品索引: ICL3232IBN IXTQ100N25P ICL3221CV ICL3232CVZ-T IMT2A IRFR9010 IPP03N03LA IPP80N06S2L-07 ISL8323IB IRFK2D450

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