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美光一方面加大对台积电的投资一方面又量产第三代10nm级内存

时间:2019-8-28, 来源:互联网, 资讯类别:行业动态

导读:美光是全球第三大DRAM厂,位于韩国三星、SK海力士之后。据台湾“联合报”25日报道将在台湾加码投资,要在现有厂区旁兴建2座晶圆厂,总投资额达4000亿元新台币(约合人民币903亿元),以下代最新制程生产DRAM。报道称,时值DRAM仍供过于求,美光大手笔投资,震撼业界。日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存,这是第第三代10nm级内存工艺,这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司,这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。

据悉,这是美光继在台中投资先进内存后段封测厂后,又一次大手笔投资台湾。中科管理局称,美光此次投资案,是台湾第二大半导体投资案(仅次于台积电中科与南科扩建案),若以外商来看,则是最大投资案。

据报道,美光此次4000亿新台币扩建案,规划在目前中科厂旁,兴建A3及A5二座晶圆厂。其中,A3厂预定明年8月完工,并陆续装机,明年第4季导入最新的1z制程试产,借此缩小与三星的差距;第二期A5厂将视市场需求,逐步扩增产能,规划设计月产能6万片。

美光台湾分公司证实在台中扩建A3厂,且已进入兴建工程。美光台湾强调,A3厂房是以扩建无尘室为主,将加入既有的桃园前段晶圆厂,以及台中后里前段晶圆厂的前段晶圆制造生产线, 进一步扩充美光在台设立的DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。

美光是全球第三大DRAM厂,位于韩国三星、SK海力士之后。目前全球DRAM市场仍供过于求,价格跌势延续,三星、SK海力士均为暂缓扩产,加上先前日韩贸易战一度使得韩国DRAM生产恐受影响,市场原看好DRAM价格形势可望反转向上,如今美光大手笔投资,引发高度关注。

据了解,美光此次大手笔投资,主要看好进入5G时代之后,快速驱动人工智能(AI)、物联网和无人驾驶等应用发展,带动DRAM需求强劲,提早卡位相关商机,并优先扩建需导入更先进设备的无尘室,以让台湾厂区制程正式推进到最先进的1z时代。

业界分析,以一座晶圆厂运作人数约需1000人计算,美光此次投资,势必要大举招募相关制程和技术人才,美光同步在新加坡和台湾进行3D NAND Flash和DRAM制程推进和产能扩张,扩大全球占有率企图明显。

在内存工艺进入20nm之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了1X、1Y、1Z,大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

根据美光之前公布的路线图,实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm,这样一来10nm级别就有六种制造工艺了,现在正好演进到到了第三代。

美光表示,与上一代1Ynm制程相比,1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本,不过美光并没有给出具体的数据,性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据,唯一比较确切的就是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了大约40%的功耗,但这个比较也太过宽泛。

此外,美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存,满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。


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